產品資料
桌面型高真空多源晶圓級半導體蒸鍍裝置
產品名稱: 桌面型高真空多源晶圓級半導體蒸鍍裝置
產品型號: VE-2040
產品特點: 桌面型高真空多源晶圓級半導體蒸鍍裝置半導體相關試樣制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圓級 · 桌面型高真空 10?? Pa · 晶圓 8“ · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圓級均勻性 ±1 %半導體試樣 · 薄膜蒸鍍 · 電極制作 · 高真空退火
桌面型高真空多源晶圓級半導體蒸鍍裝置 的詳細介紹
桌面型高真空多源晶圓級半導體蒸鍍裝置
桌面型高真空多源晶圓級半導體蒸鍍裝置
半導體相關試樣制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圓級 · 桌面型
高真空 10?? Pa · 晶圓 8" · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圓級均勻性 ±1 %
半導體試樣 · 薄膜蒸鍍 · 電極制作 · 高真空退火
一、產品定位
- 半導體試樣制作：薄膜蒸鍍、電極制作、高真空退火、晶圓級均勻性
- 高真空多源：10?? Pa，4 源同時蒸鍍，晶圓級均勻性 ±1 %
- 桌面型：底面積 0.8 m2，放通風櫥，無需地基
- VE-2040：晶圓 8"，高真空 10?? Pa，多源 4 源，桌面型
二、核心技術參數（VE-2040）
| 項目 | 參數 |
|---|---|
| 真空室 | Φ400×H400 mm（晶圓 8"） |
| 高真空 | ≤ 1×10?? Pa（10?? Torr） |
| 泵系統 | 渦輪分子泵 + 干式前級（無油） |
| 晶圓尺寸 | 8"（200 mm）（可選 6"、4"） |
| 多源 | 4 源同時蒸鍍（電阻/電子束） |
| 均勻性 | ±1 %（晶圓級，Mapping 驗證） |
| 蒸鍍速率 | 0.01 – 10 nm/s（閉環控制） |
| 溫度 | 室溫 – 800 ℃（程序升溫） |
| 控制 | 10" 觸控 + PLC + 云端遠程 |
| 尺寸/重量 | 800×600×1800 mm，280 kg |
| 電源 | 單相 200 V 30 A（含真空泵） |
三、功能亮點
- 10?? Pa 高真空：渦輪 + 干泵，無油污染，Class 100 兼容
- 8" 晶圓級：晶圓 8"，均勻性 ±1 %，Mapping 驗證
- 4 源同時蒸鍍：Al/Au/Ti/Ni 同時蒸鍍，多層膜一次完成
- ±1 % 均勻性：晶圓級 Mapping，均勻性 ±1 %，膜厚 ≤ 5 nm
- 桌面型 0.8 m2：放通風櫥，無需地基，實驗室即用
- 云端遠程：手機 APP 遠程監控，真空度、溫度實時查看
四、典型應用工藝
半導體試樣高真空蒸鍍┌─ 高真空腔體 ─┐│ │晶圓← VE-2040 ← 4 源同時蒸鍍│ │└─ 回大氣 ──────┘- 晶圓 8"，Al/Au/Ti/Ni 同時蒸鍍，膜厚 5 nm，均勻性 ±1 %
- 高真空 10?? Pa，無油污染，Class 100 兼容
五、實測數據（半導體驗證）
- 晶圓：8" SiO? 5 nm
- VE-2040 高真空版：
- 真空度 1×10?? Pa（24 h）
- 均勻性 ±0.8 %（Mapping 49 點）
- 膜厚 5 nm，重復性 ±0.1 nm（10 次）
半導體相關試樣制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圓級 · 桌面型
高真空 10?? Pa · 晶圓 8" · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圓級均勻性 ±1 %
半導體試樣 · 薄膜蒸鍍 · 電極制作 · 高真空退火
一、產品定位
- 半導體試樣制作：薄膜蒸鍍、電極制作、高真空退火、晶圓級均勻性
- 高真空多源：10?? Pa，4 源同時蒸鍍，晶圓級均勻性 ±1 %
- 桌面型：底面積 0.8 m2，放通風櫥，無需地基
- VE-2040：晶圓 8"，高真空 10?? Pa，多源 4 源，桌面型
二、核心技術參數（VE-2040）
| 項目 | 參數 |
|---|---|
| 真空室 | Φ400×H400 mm（晶圓 8"） |
| 高真空 | ≤ 1×10?? Pa（10?? Torr） |
| 泵系統 | 渦輪分子泵 + 干式前級（無油） |
| 晶圓尺寸 | 8"（200 mm）（可選 6"、4"） |
| 多源 | 4 源同時蒸鍍（電阻/電子束） |
| 均勻性 | ±1 %（晶圓級，Mapping 驗證） |
| 蒸鍍速率 | 0.01 – 10 nm/s（閉環控制） |
| 溫度 | 室溫 – 800 ℃（程序升溫） |
| 控制 | 10" 觸控 + PLC + 云端遠程 |
| 尺寸/重量 | 800×600×1800 mm，280 kg |
| 電源 | 單相 200 V 30 A（含真空泵） |
三、功能亮點
- 10?? Pa 高真空：渦輪 + 干泵，無油污染，Class 100 兼容
- 8" 晶圓級：晶圓 8"，均勻性 ±1 %，Mapping 驗證
- 4 源同時蒸鍍：Al/Au/Ti/Ni 同時蒸鍍，多層膜一次完成
- ±1 % 均勻性：晶圓級 Mapping，均勻性 ±1 %，膜厚 ≤ 5 nm
- 桌面型 0.8 m2：放通風櫥，無需地基，實驗室即用
- 云端遠程：手機 APP 遠程監控，真空度、溫度實時查看
四、典型應用工藝
半導體試樣高真空蒸鍍┌─ 高真空腔體 ─┐│ │晶圓← VE-2040 ← 4 源同時蒸鍍│ │└─ 回大氣 ──────┘- 晶圓 8"，Al/Au/Ti/Ni 同時蒸鍍，膜厚 5 nm，均勻性 ±1 %
- 高真空 10?? Pa，無油污染，Class 100 兼容
五、實測數據（半導體驗證）
- 晶圓：8" SiO? 5 nm
- VE-2040 高真空版：
- 真空度 1×10?? Pa（24 h）
- 均勻性 ±0.8 %（Mapping 49 點）
- 膜厚 5 nm，重復性 ±0.1 nm（10 次）
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